Triode/MOS tube/transistor/module
China Resources Huajing
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TECH PUBLIC (Taizhou)
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This PNP bipolar transistor is suitable for general purpose amplifier applications. The device features SC-70/SOT-323 encapsulation for low power surface mount applications.
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N-channel, 30V, 5.8A, 35mΩ@10V
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Galaxy Microelectronics
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JSMSEMI (Jiesheng Micro)
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DIODES (US and Taiwan)
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AGM-Semi (core control source)
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Infineon (Infineon)
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SPS (American source core)
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P-MOS -60V -6.2A SOP-8 40mΩ@-10V
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DIODES (US and Taiwan)
제조업 자
DIODES (US and Taiwan)
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CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
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NPN, Vceo=80V, Ic=1A, hfe=135~270
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