Triode/MOS tube/transistor/module
NPN Vo=50V Io=0.8A PD=0.2W R1=4.7K R2=4.7K
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P-channel, -30V, -35A, 0.01Ω@-10V
설명하다
DIODES (US and Taiwan)
제조업 자
Dual N-channel, 20V, 8A, 24mΩ@4.5V
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SPS (American source core)
제조업 자
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
제조업 자
NPN, Vceo=30V, Ic=800mA, hfe=100~200
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PNP, Vceo=150V, Ic=600mA
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N-channel, 20V, 6A, 0.03Ω@4.5V
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ST (STMicroelectronics)
제조업 자
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
제조업 자
DIODES (US and Taiwan)
제조업 자
Transistor type: 1 NPN-pre-biased Power (Pd): 200mW Collector current (Ic): 100mA Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 50V NPN, Vcc=50V, Io=100mA, Pd=200mW
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CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
제조업 자
NPN, Vceo=30V, Ic=0.1A, hfe=200~450
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