Triode/MOS tube/transistor/module
Transistor type: NPN Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 45V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V
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GOFORD (valley peak)
제조업 자
N-channel 60V, 20A, 80mΩ@4.5V
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DIODES (US and Taiwan)
제조업 자
PNP, Vceo=-350V, Ic=-500mA
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DIODES (US and Taiwan)
제조업 자
PNP, Vceo=-45V, Ic=-500mA, hfe=100~600
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DIODES (US and Taiwan)
제조업 자
N-channel, 600V, 4.5A, 2.5Ω@10V
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N-channel, 600V, 4.5A, 2.5Ω@10V
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