onsemi (Ansemi)
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1N5819G 40V 1A 600mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 1.0 A, 40 V

1N5819G

40V 1A 600mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 1.0 A, 40 V
부품 번호
1N5819G
범주
diode > Schottky diode
제조사/브랜드
onsemi (Ansemi)
캡슐화
DO-41
포장
bagged
패키지 수
1000
설명하다
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
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재고 51547 PCS
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