onsemi (Ansemi)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V
부품 번호
1N5821G
범주
Diodes > General Purpose Diodes
제조사/브랜드
onsemi (Ansemi)
캡슐화
DO-27
포장
boxed
패키지 수
500
설명하다
The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 87274 PCS
연락처 정보
키워드1N5821G
1N5821G 전자 부품
1N5821G 매상
1N5821G 공급자
1N5821G 유통 업체
1N5821G 데이터 테이블
1N5821G 사진
1N5821G 가격
1N5821G 권하다
1N5821G 최저 가격
1N5821G 찾다
1N5821G 구매
1N5821G 칩숏