AGM-Semi (core control source)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
AGM40P55D
P-channel 40V 50A 8.9mΩ
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
제조사/브랜드
AGM-Semi (core control source)
설명하다
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 55W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.9mΩ @10V,16A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 28nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.05nF@20V ,Vds=40V Id=50A Rds=8.9mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고
제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우
[email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 56432 PCS