AGM-Semi (core control source)
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AGM418MNA
AGM418MNA
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
제조사/브랜드
AGM-Semi (core control source)
설명하다
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 22A Power (Pd): 3.7W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 17mΩ@10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.9nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.66nF@20V, Vds=40v Id=22A Rds=17mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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재고 95382 PCS