구입하다 onsemi (Ansemi) FDN357N N-Channel 30V 1.9A N-Channel, Logic Level Enhancement Field Effect Transistor, 30V, 1.9A, 90mΩ

onsemi (Ansemi)

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FDN357N

N-Channel 30V 1.9A N-Channel, Logic Level Enhancement Field Effect Transistor, 30V, 1.9A, 90mΩ

부품 번호

FDN357N

범주

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

제조사/브랜드

onsemi (Ansemi)

캡슐화

SOT-23

포장

taping

패키지 수

3000

설명하다

SuperSOT-3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. These devices are ideal for low-voltage applications such as notebook computers, cell phones, PCMCIA cards, and other battery-powered circuits, where fast switching and low in-line power losses are required in very small surface-mount encapsulations.

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재고 87032 PCS

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