onsemi (Ansemi)
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MBRAF3200T3G
200V 3A 840mV@3A 200V, 3.0A, Schottky diode
부품 번호
MBRAF3200T3G
범주
diode > Schottky diode
제조사/브랜드
onsemi (Ansemi)
캡슐화
SMA-FL
포장
taping
패키지 수
5000
설명하다
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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재고 68933 PCS
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