onsemi (Ansemi)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
MBRAF440T3G
40V 4A 485mV@4A 4.0 A, 40 V Schottky diode
범주
diode > Schottky diode
설명하다
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system.
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고
제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우
[email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 88176 PCS