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DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

부품 번호

DMN30H4D0LFDE-7

제조사/브랜드

Diodes Incorporated

시리즈

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type E)

전력 소비(최대)

630mW (Ta)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

300V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

550mA (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

7.6nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

187.3pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

2.7V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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