BSC019N06NSATMA1
DIFFERENTIATED MOSFETS
부품 번호
BSC019N06NSATMA1
제조사/브랜드
시리즈
OptiMOS™
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지
8-TDSON (5x6)
전력 소비(최대)
136W (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.3V @ 74µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
77nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
5.25nF @ 30V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
6V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 28720 PCS
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