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BSP149H6906XTSA1

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

부품 번호

BSP149H6906XTSA1

제조사/브랜드

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

전력 소비(최대)

1.8W (Ta)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압(Vdss)

200V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

660mA (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

1V @ 400µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

14nC @ 5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

430pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

0V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 26829 PCS

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