BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
부품 번호
BSZ16DN25NS3GATMA1
제조사/브랜드
시리즈
OptiMOS™
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지
PG-TSDSON-8
전력 소비(최대)
62.5W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
250V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 32µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
11.4nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
920pF @ 100V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 40715 PCS
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