IPD65R950CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
부품 번호
IPD65R950CFDBTMA1
제조사/브랜드
시리즈
CoolMOS™
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
PG-TO252-3
전력 소비(최대)
36.7W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.5V @ 200µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
14.1nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
380pF @ 100V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 36362 PCS
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