IRF3808STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
부품 번호
IRF3808STRLPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
D2PAK
전력 소비(최대)
200W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
75V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
106A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
220nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
5310pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 37287 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRF3808STRLPBF
IRF3808STRLPBF 전자 부품
IRF3808STRLPBF 매상
IRF3808STRLPBF 공급자
IRF3808STRLPBF 유통 업체
IRF3808STRLPBF 데이터 테이블
IRF3808STRLPBF 사진
IRF3808STRLPBF 가격
IRF3808STRLPBF 권하다
IRF3808STRLPBF 최저 가격
IRF3808STRLPBF 찾다
IRF3808STRLPBF 구매
IRF3808STRLPBF 칩숏