IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
부품 번호
IRF6614TR1
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
DirectFET™ Isometric ST
공급자 장치 패키지
DIRECTFET™ ST
전력 소비(최대)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.25V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
29nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2560pF @ 20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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