IRF6655TR1
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
부품 번호
IRF6655TR1
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
DirectFET™ Isometric SH
공급자 장치 패키지
DIRECTFET™ SH
전력 소비(최대)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.8V @ 25µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
11.7nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
530pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 9800 PCS
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