IRF6706S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
부품 번호
IRF6706S2TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
DirectFET™ Isometric S1
공급자 장치 패키지
DIRECTFET S1
전력 소비(최대)
1.8W (Ta), 26W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
25V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1810pF @ 13V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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