IRF7338PBF
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
부품 번호
IRF7338PBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tube
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
2W
공급자 장치 패키지
8-SO
FET 유형
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
6.3A, 3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
640pF @ 9V
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