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IRF7379QTRPBF

IRF7379QTRPBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
부품 번호
IRF7379QTRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
2.5W
공급자 장치 패키지
8-SO
FET 유형
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
25nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
520pF @ 25V
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재고 30110 PCS
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