IRF7663TR
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
부품 번호
IRF7663TR
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Digi-Reel®
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지
Micro8™
전력 소비(최대)
1.8W (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
45nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2520pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±12V
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