IRFH7911TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
부품 번호
IRFH7911TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Not For New Designs
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
18-PowerVQFN
전력 - 최대
2.4W, 3.4W
공급자 장치 패키지
PQFN (5x6)
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
13A, 28A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1060pF @ 15V
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