IRFHM792TR2PBF
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
부품 번호
IRFHM792TR2PBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
전력 - 최대
2.3W
공급자 장치 패키지
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Standard
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 10µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
251pF @ 25V
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재고 54804 PCS
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