IRFHM8337TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
부품 번호
IRFHM8337TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
전력 소비(최대)
2.8W (Ta), 25W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
755pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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