IRFI4229PBF
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
부품 번호
IRFI4229PBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3
공급자 장치 패키지
TO-220AB
전력 소비(최대)
46W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
250V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
110nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4480pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 51083 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRFI4229PBF
IRFI4229PBF 전자 부품
IRFI4229PBF 매상
IRFI4229PBF 공급자
IRFI4229PBF 유통 업체
IRFI4229PBF 데이터 테이블
IRFI4229PBF 사진
IRFI4229PBF 가격
IRFI4229PBF 권하다
IRFI4229PBF 최저 가격
IRFI4229PBF 찾다
IRFI4229PBF 구매
IRFI4229PBF 칩숏