IRFSL3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
부품 번호
IRFSL3306PBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지
TO-262
전력 소비(최대)
230W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 150µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
120nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4520pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 23619 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRFSL3306PBF
IRFSL3306PBF 전자 부품
IRFSL3306PBF 매상
IRFSL3306PBF 공급자
IRFSL3306PBF 유통 업체
IRFSL3306PBF 데이터 테이블
IRFSL3306PBF 사진
IRFSL3306PBF 가격
IRFSL3306PBF 권하다
IRFSL3306PBF 최저 가격
IRFSL3306PBF 찾다
IRFSL3306PBF 구매
IRFSL3306PBF 칩숏