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IRFSL38N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3

부품 번호

IRFSL38N20DPBF

제조사/브랜드

시리즈

HEXFET®

부품현황

Active

포장

Tube

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

전력 소비(최대)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

200V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

43A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

91nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

2900pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

Vgs(최대)

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재고 44131 PCS

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