IRFU9N20D
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
부품 번호
IRFU9N20D
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지
IPAK (TO-251)
전력 소비(최대)
86W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
27nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
560pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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