IRLBD59N04ETRLP
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
부품 번호
IRLBD59N04ETRLP
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
공급자 장치 패키지
TO-263-5
전력 소비(최대)
130W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
50nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2190pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±10V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 20139 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRLBD59N04ETRLP
IRLBD59N04ETRLP 전자 부품
IRLBD59N04ETRLP 매상
IRLBD59N04ETRLP 공급자
IRLBD59N04ETRLP 유통 업체
IRLBD59N04ETRLP 데이터 테이블
IRLBD59N04ETRLP 사진
IRLBD59N04ETRLP 가격
IRLBD59N04ETRLP 권하다
IRLBD59N04ETRLP 최저 가격
IRLBD59N04ETRLP 찾다
IRLBD59N04ETRLP 구매
IRLBD59N04ETRLP 칩숏