IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
부품 번호
IRLR3636TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
D-Pak
전력 소비(최대)
143W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 100µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
49nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
3779pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±16V
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