SI4410DYTRPBF
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
부품 번호
SI4410DYTRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지
8-SO
전력 소비(최대)
2.5W (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
45nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1585pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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