구입하다 IXYS IXFN50N120SIC MOSFET N-CH

이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.

추가 정보 보기 데이터시트

IXFN50N120SIC

MOSFET N-CH

부품 번호

IXFN50N120SIC

제조사/브랜드

IXYS

시리즈

부품현황

Active

포장

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지/케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

전력 소비(최대)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

1200V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

47A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.2V @ 2mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

100nC @ 20V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1900pF @ 1000V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

20V

Vgs(최대)

+20V, -5V

견적요청

모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.

재고 34094 PCS

연락처 정보

관련 상품

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B