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IXFN50N120SK

MOSFET N-CH

부품 번호

IXFN50N120SK

제조사/브랜드

IXYS

시리즈

부품현황

Active

포장

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지/케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

전력 소비(최대)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

1200V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

48A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(일)(최대) @ Id

2.8V @ 10mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

115nC @ 20V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1895pF @ 1000V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

20V

Vgs(최대)

+20V, -5V

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재고 48460 PCS

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