IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
부품 번호
IXTA1N170DHV
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
TO-263
전력 소비(최대)
290W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
Depletion Mode
드레인-소스 전압(Vdss)
1700V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(일)(최대) @ Id
-
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
47nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
3090pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 40789 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV 전자 부품
IXTA1N170DHV 매상
IXTA1N170DHV 공급자
IXTA1N170DHV 유통 업체
IXTA1N170DHV 데이터 테이블
IXTA1N170DHV 사진
IXTA1N170DHV 가격
IXTA1N170DHV 권하다
IXTA1N170DHV 최저 가격
IXTA1N170DHV 찾다
IXTA1N170DHV 구매
IXTA1N170DHV 칩숏