APT31M100B2
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
부품 번호
APT31M100B2
제조사/브랜드
시리즈
POWER MOS 8™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지
T-MAX™ [B2]
전력 소비(최대)
1040W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 2.5mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
260nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
8500pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 5854 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드APT31M100B2
APT31M100B2 전자 부품
APT31M100B2 매상
APT31M100B2 공급자
APT31M100B2 유통 업체
APT31M100B2 데이터 테이블
APT31M100B2 사진
APT31M100B2 가격
APT31M100B2 권하다
APT31M100B2 최저 가격
APT31M100B2 찾다
APT31M100B2 구매
APT31M100B2 칩숏