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PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
부품 번호
PMDXB600UNEZ
제조사/브랜드
시리즈
TrenchFET®
부품현황
Active
포장
Digi-Reel®
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
6-XFDFN Exposed Pad
전력 - 최대
265mW
공급자 장치 패키지
6-DFN (1.1x1)
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
600mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
950mV @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
21.3pF @ 10V
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재고 21780 PCS
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