PMV32UP/MIR
SMALL SIGNAL MOSFET
부품 번호
PMV32UP/MIR
제조사/브랜드
부품현황
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기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지
TO-236AB
전력 소비(최대)
510mW (Ta), 4.15W (Tc)
FET 유형
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
950mV @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
15.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1890pF @ 10V
Vgs(최대)
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
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재고 11901 PCS
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