ON Semiconductor
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FDD8586
데이터시트

FDD8586

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
부품 번호
FDD8586
제조사/브랜드
ON Semiconductor
시리즈
PowerTrench®
부품현황
Obsolete
포장
Digi-Reel®
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252AA
전력 소비(최대)
77W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
48nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2480pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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