FDR858P
MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
부품 번호
FDR858P
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지
SuperSOT™-8
전력 소비(최대)
1.8W (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
30nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2010pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 8021 PCS
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