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FQB8N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 7.5A

부품 번호

FQB8N60CTM-WS

제조사/브랜드

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

부품현황

Obsolete

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

전력 소비(최대)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

600V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

7.5A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3.75A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1255pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±30V

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재고 27117 PCS

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