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FQD2N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 1.9A

부품 번호

FQD2N60CTM-WS

제조사/브랜드

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

전력 소비(최대)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

600V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

1.9A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

4.7 Ohm @ 950mA, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

235pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±30V

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재고 15606 PCS

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