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FQPF19N10L
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FQPF19N10L

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
부품 번호
FQPF19N10L
제조사/브랜드
ON Semiconductor
시리즈
QFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지
TO-220F
전력 소비(최대)
38W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
870pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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