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NTHS2101PT1G

NTHS2101PT1G

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
부품 번호
NTHS2101PT1G
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지
ChipFET™
전력 소비(최대)
1.3W (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
8V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2400pF @ 6.4V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Vgs(최대)
±8V
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재고 9852 PCS
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