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NTLJS1102PTBG

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

부품 번호

NTLJS1102PTBG

제조사/브랜드

ON Semiconductor

시리즈

부품현황

Obsolete

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

전력 소비(최대)

700mW (Ta)

FET 유형

P-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

3.7A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

720mV @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1585pF @ 4V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.2V, 4.5V

Vgs(최대)

±6V

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재고 10047 PCS

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