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NTMD6601NR2G

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

부품 번호

NTMD6601NR2G

제조사/브랜드

ON Semiconductor

시리즈

부품현황

Obsolete

포장

Tape & Reel (TR)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

전력 - 최대

600mW

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압(Vdss)

80V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

1.1A

Rds On(최대) @ Id, Vgs

215 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

400pF @ 25V

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재고 37230 PCS

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