2SJ058200L
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
부품 번호
2SJ058200L
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
U-G2
전력 소비(최대)
1W (Ta), 10W (Tc)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
400pF @ 20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 17900 PCS
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