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R6004JND3TL1

MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

부품 번호

R6004JND3TL1

제조사/브랜드

Rohm Semiconductor

부품현황

Active

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252

전력 소비(최대)

60W (Tc)

FET 유형

N-Channel

드레인-소스 전압(Vdss)

600V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

1.43 Ohm @ 2A, 15V

Vgs(일)(최대) @ Id

7V @ 450µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

10.5nC @ 15V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

260pF @ 100V

Vgs(최대)

±30V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

15V

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재고 16044 PCS

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