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데이터시트

RF4E100AJTCR

MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

부품 번호

RF4E100AJTCR

제조사/브랜드

Rohm Semiconductor

시리즈

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

HUML2020L8

전력 소비(최대)

2W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1460pF @ 15V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V

Vgs(최대)

±12V

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재고 37828 PCS

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