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STH275N8F7-6AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

부품 번호

STH275N8F7-6AG

제조사/브랜드

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

공급자 장치 패키지

H2PAK-6

전력 소비(최대)

315W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

80V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

180A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

193nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

13600pF @ 50V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 30983 PCS

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